半导体原厂在“双碳”中要扮演的两个角色
蓉矽半导体是一家功率器件原厂,作为原厂在碳中和中往往要扮演好两个角色——一个是自身生产运营中的降碳,另一个更重要,是用自己的产品去助力其他企业、行业实现节能降碳。在高巍看来,碳化硅这类宽禁带半导体器件具有高压、高导热以及高频等物理特性,已经在新能源相关行业中被广泛应用,对节能减排起到非常大作用的同时,也对实现 “双碳”有着重要意义。以1500V储能系统为例,如果采用2000V碳化硅器件可以带来整体效率提升、体积缩小以及节能带来等效果。
蓉矽半导体副总经理 高巍
不过高巍同时表示,碳化硅对“双碳”的意义要从制造和应用两个角度分析,虽然碳化硅器件在光伏、储能、新能源汽车中的应用能带来很好的减排效果,但制造的流程本身是一个耗能环节。蓉矽半导体选址成都,是因为成都是中国最大的水电供给地,他透露公司未来发展规划中,“是有晶圆制造想法的,在成都采用绿电的方式制造功率半导体器件,带来的节能减排效果会非常明显。”
既然碳化硅器件对“双碳”意义重大,那么中国国产碳化硅器件目前处于什么水平呢?高巍举了一个例子,目前蓉矽量产的是第一代1200V SiC MOSFET,第二代产品在去年完成全部设计时,性能已经超越美国一家知名碳化硅企业。“当时非常开心,但只有不到一个月的时间,另外一家美国公司推出了他最新一代的产品,把我们按在地上摩擦了一通。”他感叹道,“我们在不停追赶先进对手的同时,对手也在不停地发展。”
从蓉矽碳化硅产品性能与国外大型公司对比来看,高巍认为至少差一到两代的水平。能不能赶上呢?他觉得要换一套思路——中国的功率半导体厂商大多数延续了一种“逆向追赶”的习惯,比如说某家国外巨头推出了一款优秀产品,中国的设计公司就会追逐这类设计、去做这种产品。如此一来始终是跟在人家后面追赶。“换一种思路,按照功率半导体的发展逻辑,从应用需求出发做设计,沿着自己的发展路线走。只有正向的思维和设计,与应用场景紧密结合,才有机会跟国际大厂竞争。”
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