我自主研发充电桩核心器件成功量产

    一块手机SIM卡大小的芯片，却能承载超过700伏的电压，导通电阻仅有30毫欧，实现高效低耗的电能转换。这就是新能源汽车充电桩的“心脏”MOSFET(金属氧化物半导体型场效应管)。4月12日，江苏苏州东微半导体有限公司宣布，该公司自主研发的充电桩用高压高速核心半导体器件实现量产，打破了国外企业对这一产品的垄断。

 

　　近年来，国内新能源汽车发展迅猛，俗称“快充”的直流充电桩已经遍布高速公路、停车场。直流充电桩一般由通信模块、开关电源模块及控制模块等构成。其中，MOSFET是开关电源模块中最核心的部分，是实现电能高效率转换，确保充电桩稳定不过热的关键器件。

 

　　“交流电进入电桩后，MOSFET通过控制芯片来控制电流通断，形成脉冲电流，再通过电感耦合转换为新能源汽车需要的直流电源。”东微半导体的总经理龚轶介绍。

 

　　MOSFET的成本占整个开关电源模块成本的20%左右。在一个开关电源模块中，需要用到几个甚至近百个MOSFET。过去，这一领域被国外厂商垄断，国内厂家大量采购进口品牌的MOSFET，不仅价格高昂，还经常缺货。

 

　　经过两年研发，东微半导体公司日前已实现充电桩用高压高速半导体功率器件量产，产品基于东微半导体原创的全套专利技术，首次在国内的生产线上实现全国产化。其动态性能和可靠性均优于国外同规格产品，在客户端实测性能超越国外品牌产品。

 

　　“相较于国际品牌，我们研发的MOSFET，电源开关时的电损耗更低，电流转换效率更高，长期在户外使用更加可靠，价格也低了10%—20%。”龚轶说。